Co je GAN technologie pro nabíječky?

Zjednodušeně řečeno,malé tělo s vysokým výkonem.

Nabíječky s nitridem galia (GaN) zaznamenaly velký úspěch na mezinárodní výstavě spotřební elektroniky a tato moderní křemíková alternativa znamená, že přicházejí menší, účinnější nabíječky a napájecí zdroje.

Nabíječky GaN jsou fyzicky menší než současné nabíječky, protože nabíječky GaN nevyžadují méně součástek než křemíkové. Tento materiál může časem vést mnohem vyšší napětí než křemík. Nabíječky GaN jsou nejen efektivnější při přenosu proudu, ale také znamenají, že se méně energie ztrácí na teplo. Proto, když jsou komponenty efektivnější při přenosu energie do zařízení, je obvykle potřeba méně komponent. V důsledku toho se s rozšířenou popularitou technologie výrazně sníží zdroje a nabíječky GaN. Existují další výhody, například vyšší spínací frekvence může dosáhnout rychlejšího bezdrátového přenosu energie.

Gallium nitrid je polovodičový materiál, který se stal středem pozornosti v 90. letech minulého století při výrobě LED diod. GaN byl použit k vytvoření prvních bílých LED, modrých laserů a plnobarevných LED displejů, které lze vidět během dne. V přehrávačích Blu-ray DVD produkuje GaN modré světlo, které čte data z DVD.

Zdá se, že GaN brzy nahradí křemík v mnoha oblastech. Výrobci křemíku po desetiletí neúnavně pracovali na vylepšení tranzistorů na bázi křemíku. Podle Moorova zákona se počet tranzistorů v integrovaných křemíkových obvodech zdvojnásobí přibližně každé dva roky. Toto pozorování bylo provedeno v roce 1965 a posledních 50 let bylo v zásadě správné. V roce 2010 však vývoj polovodičové technologie poprvé klesl pod tuto rychlost. Mnoho analytiků (a samotný Moore) předpovídá, že do roku 2025 bude Moorův zákon zastaralý.

Výroba tranzistorů GaN se v roce 2006 zvýšila. Zlepšený výrobní proces znamená, že tranzistory GaN lze vyrábět ve stejném typu zařízení jako křemík. To může snížit náklady a povzbudit více výrobců křemíku, aby používali GaN k výrobě tranzistorů.