SiC vysokonapěťové SBD

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCHitec) je high-tech podnik, který se specializuje na výrobu a prodej příslušenství k telefonům. Mezi naše hlavní produkty patří cestovní nabíječky, nabíječky do auta, USB kabely, powerbanky a další digitální produkty. Všechny produkty jsou bezpečné a spolehlivé, s jedinečnými styly. Produkty procházejí certifikáty jako CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick atd. , Máte-li zájem, můžete kontaktovat přímo ceo@schitec.com.

Nabíjejte bezpečně se SChitec

SiC vysokonapěťové SBD

Protože výška bariéry a kritické elektrické pole Si a GaAs jsou nižší než u širokopásmového polovodiče, průrazné napětí a zpětný svodový proud SBD vyrobených z Si a GaAs jsou nižší a větší. Materiál karbidu křemíku (SIC) má široký pásový odstup (2,2 ev-3,2 ev), vysoké kritické průrazné elektrické pole (2 V / cm-4 × 106 V / cm), vysokou rychlost saturace (2 × 107 cm / s), vysokou tepelnou vodivost 4,9 W / (cm · K), silnou chemickou odolnost proti korozi, vysokou tvrdost a relativně vyzrálý proces přípravy a výroby materiálu. Je to ideální nový materiál pro výrobu SBD s vysokonapěťovou odolností, nízkým poklesem napětí v propustném směru a vysokou rychlostí spínání.

V roce 1999 Purdue University of United States vyvinula 4,9kv SiC Power SBD v projektu Muri financovaném United States Navy, který učinil zásadní průlom v odolnosti SBD napětí Pokles napětí vpřed a zpětný svodový proud SBD přímo ovlivňují ztrátu energie. usměrňovače SBD a účinnost systému. Je v rozporu, že nízké propustné napětí vyžaduje nízkou výšku Schottkyho bariéry a vysoké zpětné průrazné napětí vyžaduje co nejvyšší výšku bariéry. Proto je výběr bariérového kovu velmi důležitý, protože musí být považován za kompromis. Ni a Ti jsou ideální Schottkyho bariérové ​​kovy pro SiC typu n. Protože výška bariéry Ni/SiC je vyšší než u Ti/SiC, první má nižší zpětný svodový proud a druhý má menší pokles napětí v dopředném směru. Aby bylo možné získat sicsbd s nízkým propustným napětím a zpětným svodovým proudem, je proveditelná konstrukce sicsbd s Ni kontaktem a Ti kontaktem a strukturou bimetalové drážky s vysokou/nízkou bariérou (DMT). S touto strukturou je zpětný svodový proud sicsbd 75krát menší než u planárního Ti Schottkyho usměrňovače při zpětném předpětí 300 V a dopředný svodový proud je podobný jako u nisbd. Při použití 6h sicsbd s ochranným kroužkem je průrazné napětí až 550V.

Podle zpráv cmzetterling et al. Epitaxovala 10 μm vrstvu typu n na 6h SiC substrát a poté vytvořila sérii paralelních proužků P+ iontovou implantací. Horní bariérový kov je ti. Tato struktura je podobná struktuře spojovací bariéry Schottkyho (JBS) zařízení na obrázku 2. Propustné charakteristiky jsou stejné jako u Ti Schottkyho bariéry a zpětný svodový proud je mezi PN a Ti Schottkyho bariérou. Hustota odporu v zapnutém stavu je 20 m Ω· cm2, blokovací napětí je 1,1 kV a hustota svodového proudu je 10 μA / cm2 při zpětném předpětí 200 V. Kromě toho R. rayhunathon oznámil výsledky vývoje p-typu 4H? Sicsbd a 6h? Sicsbd. Zpětné průrazné napětí typu p 4h-sicsbd a 6h-sicsbd s Ti jako kovovou bariérou je 600 V a 540 V a hustota svodového proudu při zpětném zkreslení 100 V je menší než 0,1 μA / cm2 (25 stupňů).

SiC je ideálním materiálem pro výrobu výkonových polovodičových součástek. 4. května 2000, Cree ze Spojených států a Kansai Electric Power Company of Japan společně oznámily úspěšný vývoj 12,3kv SiC výkonových diod, s poklesem napětí v dopředném směru VF 4,9 V při proudové hustotě 100A/cm2. To plně ukazuje velkou sílu SiC materiálu pro výrobu výkonových diod.

V SBD mají zařízení se strukturou SiC a JBS velký vývojový potenciál. V oblasti vysokonapěťových výkonových diod SBD určitě zaujme místo.