Výstup vzduchu aplikace GaN
Sep 21, 2019| Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SCHitec) je high-tech podnik, který se specializuje na výrobu a prodej příslušenství k telefonům. Mezi naše hlavní produkty patří cestovní nabíječky, nabíječky do auta, USB kabely, powerbanky a další digitální produkty. Všechny produkty jsou bezpečné a spolehlivé, s jedinečnými styly. Produkty procházejí certifikáty jako CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick atd. , Máte-li zájem, můžete kontaktovat přímo ceo@schitec.com.
Zůstaňte bezpečně nabiti se SChitec
Výstup vzduchu aplikace GaN
Zrození nitridu galia přichází s posláním technologického rozvoje sloužit dobrému životu lidstva. Četné nové technologie, nové aplikace a nové trhy jsou předurčeny k tomu, aby přitáhly globální pozornost, když se GaN přesouvá z laboratoře na trh. Tyto rozvíjející se trhy zahrnují 5G, RF, rychlé nabíjení atd. Uvádíme několik oblastí, kde je GaN v současnosti ve velkém měřítku komercializován.
Technologie RF GaN se dokonale hodí k 5G a výkonový zesilovač základnové stanice využívá GaN. Nitrid galia (GaN), arsenid galia (GaAs) a fosfid india (InP) jsou tří- a pětimocné polovodičové materiály běžně používané v radiofrekvenčních aplikacích. Ve srovnání s vysokofrekvenčními procesy, jako je arsenid galia a fosfid india, mají zařízení GaN větší výkon; ve srovnání s energetickými procesy, jako je LDCMOS a karbid křemíku (SiC), má GaN lepší frekvenční charakteristiky. Je důležité, aby okamžitá šířka pásma zařízení GaN byla vyšší, k dosažení větší šířky pásma se používá techniky agregace nosných a příprava nosných vyšších frekvencí.
Nitrid galia je rychlejší než křemík nebo jiná tří- a pětivalentní zařízení. GaN může dosáhnout vyšší hustoty výkonu. Pro danou úroveň výkonu má GaN výhodu malých rozměrů. U menších zařízení lze snížit kapacitu zařízení, což usnadňuje návrh systémů s vyšší šířkou pásma. Klíčovou součástí RF obvodu je PA (Power Amplifier).
Z pohledu současné aplikace je výkonový zesilovač složen hlavně z výkonového zesilovače arsenidu galia a komplementárního metaloxidového polovodičového výkonového zesilovače (CMOS PA), ve kterém je GaAs PA hlavním proudem. Ale s příchodem 5G nebudou zařízení GaAs schopna udržet vysokou integraci na tak vysokých frekvencích, takže GaN je dalším horkým místem. Jako polovodič s širokým pásmovým odstupem může GaN odolat vyšším provozním napětím, což znamená vyšší hustotu výkonu a vyšší provozní teplotu, což má za následek vysokou hustotu výkonu, nízkou spotřebu energie, vysokou frekvenci a širokou šířku pásma.